1 (p1): 第1章 芯片封装简介
1 (p2): 1.1 芯片(集成电路)的封装
3 (p3): 1.2 引线键合芯片封装技术
4 (p4): 1.3 倒装芯片封装技术
9 (p5): 1.4 倒装芯片下填充材料的填充方法
9 (p6): 1.4.1 传统的下填充方法
11 (p7): 1.4.2 不流动下填充方法
12 (p8): 1.4.3 压力注入下填充方法
13 (p9): 1.5 小结
14 (p10): 参考文献
17 (p11): 第2章 封装材料的流变特性
17 (p12): 2.1 流体的类型
17 (p13): 2.1.1 非牛顿流体的分类
19 (p14): 2.1.2 流动断面尺寸对牛顿流体的影响
21 (p15): 2.2 与时间无关的黏性流体的本构方程
21 (p16): 2.2.1 幂函数本构方程
22 (p17): 2.2.2 Cross模型
23 (p18): 2.2.3 Carreau-Yasuda模型
24 (p19): 2.2.4 Bingham模型
25 (p20): 2.2.5 Herschel-Bulkley模型
25 (p21): 2.3 表面张力
26 (p22): 2.3.1 Laplace方程
27 (p23): 2.3.2 Young方程
28 (p24): 2.3.3 平行平板间毛细流动的作用力
29 (p25): 2.4 封装材料的实验研究
29 (p26): 2.4.1 锥-板流变仪
30 (p27): 2.4.2 流体的黏性系数
31 (p28): 2.4.3 流体的表面张力和湿润角
34 (p29): 2.5 小结
34 (p30): 参考文献
36 (p31): 第3章 下填充流动的Washburn模型
36 (p32): 3.1 流体流动基本方程
36 (p33): 3.1.1 连续性方程
37 (p34): 3.1.2 动量方程
39 (p35): 3.1.3 能量方程
42 (p36): 3.2 下填充流体流动的Washburn模型
45 (p37): 3.3 下填充流体流动的Han-Wang模型
47 (p38): 3.4 小结
47 (p39): 参考文献
49 (p40): 第4章 下填充材料的不稳定流动特性研究
49 (p41): 4.1 下填充材料的不稳定流动模型
52 (p42): 4.2 填充时间对流动前端的影响
57 (p43): 4.3 倒装芯片下填充流动的焊球阻力
60 (p44): 4.4 应用动态湿润角的倒装芯片下填充流动解析分析模型
60 (p45): 4.5 倒装芯片下填充流动解析分析模型与实验结果的比较
60 (p46): 4.5.1 黏性系数
61 (p47): 4.5.2 平衡状态的湿润角和表面张力系数
61 (p48): 4.5.3 剪应变
62 (p49): 4.5.4 结果与讨论
63 (p50): 4.6 小结
64 (p51): 参考文献
66 (p52): 第5章 下填充流动的非牛顿流体解析分析模型
66 (p53): 5.1 平行平板下填充流动的解析分析模型(模型I)
69 (p54): 5.2 倒装芯片下填充流动的解析分析模型(模型II)
70 (p55): 5.3 小结
70 (p56): 参考文献
72 (p57): 第6章 下填充流动的实验研究
72 (p58): 6.1 平行平板下填充流动的实验装置
73 (p59): 6.2 Washburn模型的实验验证
77 (p60): 6.3 解析分析模型I的实验验证
77 (p61): 6.3.1 下填充流体及特性参数
78 (p62): 6.3.2 实验结果与讨论
82 (p63): 6.4 解析分析模型II的实验验证
82 (p64): 6.4.1 实验装置与方法
83 (p65): 6.4.2 实验结果与讨论
85 (p66): 6.5 小结
85 (p67): 参考文献
86 (p68): 第7章 下填充流动的数值模拟分析
86 (p69): 7.1 引言
86 (p70): 7.2 Hele-Shaw模型
86 (p71): 7.2.1 非常缓慢的流动
88 (p72): 7.2.2 Hele-Shaw流动
89 (p73): 7.2.3 广义Hele-Shaw模型
92 (p74): 7.3 倒装芯片的数值模拟分析
93 (p75): 7.3.1 下填充流体流动的数值分析模型
94 (p76): 7.3.2 下填充流体流动的数值模拟分析
98 (p77): 7.4 下填充流动数值分析模型的实验验证
98 (p78): 7.4.1 平行平板下填充流动的实验验证
103 (p79): 7.4.2 倒装芯片下填充流动的实验验证
106 (p80): 7.5 下填充流动数值模型的模拟分析研究
108 (p81): 7.6 小结
109 (p82): 参考文献
111 (p83): 第8章 倒装芯片焊球排列方式的优化设计
111 (p84): 8.1 临界间距
111 (p85): 8.2 下填充流动时间的影响因素
111 (p86): 8.2.1 焊球中心距对下填充流动时间的影响(不同间隙高度)
113 (p87): 8.2.2 焊球中心距对下填充流动时间的影响(不同焊球直径)
114 (p88): 8.2.3 焊球直径对下填充流动时间的影响(不同焊球中心距)
114 (p89): 8.2.4 焊球直径对下填充流动时间的影响(不同间隙高度)
115 (p90): 8.2.5 焊球外表面间距对下填充流动时间的影响(不同焊球直径)
117 (p91): 8.3 焊球间距对下填充时间影响的数值模拟分析
117 (p92): 8.3.1 焊球间距对流动前端分布和填充时间的影响
119 (p93): 8.3.2 数值模拟分析与实验观测结果的比较
121 (p94): 8.4 倒装芯片焊球排列方式的优化设计
122 (p95): 8.4.1 下填充流动时间的无因次分析
123 (p96): 8.4.2 无因次临界间距的确定
125 (p97): 8.4.3 倒装芯片焊球排列方式的优化设计
126 (p98): 8.5 温度对下填充流动的影响
128 (p99): 8.6 小结
129 (p100): 参考文献
130 (p101): 第9章 实验结果的不确定度分析
130 (p102): 9.1 引言
131 (p103): 9.2 基本概念和定义
133 (p104): 9.3 高斯分布
133 (p105): 9.3.1 高斯分布的计算公式
138 (p106): 9.3.2 高斯分布的置信区间
139 (p107): 9.4 实验结果的不确定度分析
139 (p108): 9.4.1 实验样本空间的统计参数
140 (p109): 9.4.2 实验样本空间的置信区间
142 (p110): 9.4.3 非正常实验数据的剔除
144 (p111): 9.4.4 实验结果的不确定度
146 (p112): 9.5 下填充流动实验结果的不确定度分析
146 (p113): 9.5.1 平行平板下填充流动前端实验结果的不确定度(模型I)
149 (p114): 9.5.2 倒装芯片下填充流动前端实验结果的不确定度(模型II)
153 (p115): 9.6 小结
153 (p116): 参考文献
154 (p117): 第10章 数值模拟分析的有限元法简介
154 (p118): 10.1 引言
154 (p119): 10.2 加权余量法和Galerkin近似方法
156 (p120): 10.3 单元的划分
156 (p121): 10.4 插值函数
156 (p122): 10.4.1 双线性矩形单元的插值函数
158 (p123): 10.4.2 二次矩形单元的插值函数
160 (p124): 10.5 自然坐标系
160 (p125): 10.5.1 等参数单元变换
160 (p126): 10.5.2 自然坐标系
163 (p127): 10.6 数值积分
166 (p128): 10.7 用Galerkin方法求解微分方程近似解
166 (p129): 10.7.1 微分方程的离散化
170 (p130): 10.7.2 有限单元法求解微分方程近似解应用举例
180 (p131): 10.8 小结
180 (p132): 参考文献
181 (p133): 附录A 基本方程
184 (p134): 附录B 统计计算表
188 (p135): 附录C 倒装芯片下填充流动数值模拟分析的ANSYS软件输入程序

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Dao zhuang xin pian feng zhuang de xia tian chong liu dong yan jiu

Wan Jianwu zhu

万建武, 1953-

Jianwu Wan

Ke xue chu ban she

Science Press

China, People's Republic, China

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Includes bibliographical references.

Ben shu jie shao le dao zhuang xin pian xia tian chong liu dong jin nian lai de zhu yao yan jiu cheng guo. nei rong bao gua xin pian feng zhuang de fa zhan he dao zhuang xin pian feng zhuang ji shu te dian, feng zhuang cai liao de liu bian te xing, dao zhuang xin pian xia tian chong liu dong de zhu yao li lun fen xi mo xing, xia tian chong cai liao bu wen ding liu dong te xing, xia tian chong liu dong de shi yan yan jiu he shu zhi mo ni fen xi deng

本书介绍了倒装芯片下填充流动近年来的主要研究成果.内容包括芯片封装的发展和倒装芯片封装技术特点, 封装材料的流变特性, 倒装芯片下填充流动的主要理论分析模型, 下填充材料不稳定流动特性, 下填充流动的实验研究和数值模拟分析等

2024-06-13